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专利状态
研磨后清洗方法以及半导体结构的形成方法
有效
专利申请进度
申请
2019-04-29
申请公布
2020-10-30
授权
2023-11-10
预估到期
2039-04-29
专利基础信息
申请号
CN201910357419.5
申请日
2019-04-29
申请公布号
CN111863592A
申请公布日
2020-10-30
授权公布号
CN111863592B
授权公告日
2023-11-10
分类号
H01L21/02;H01L21/304;H01L21/8234
分类
基本电气元件;
申请人名称
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
专利法律状态
2023-11-10
授权
状态信息
授权
2020-11-17
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L21/02;申请日:20190429
2020-10-30
公布
状态信息
公布
摘要
一种研磨后清洗方法以及半导体结构的形成方法,所述研磨后清洗方法适于对研磨处理后的晶圆进行清洗,清除晶圆表面的污染物颗粒,所述研磨后清洗方法包括:对所述晶圆执行第一清洗制程,所述第一清洗制程包括第一子清洗制程,所述第一子清洗制程的步骤包括:采用兆声波去离子水和第一化学清洗剂进行第一冲洗处理;其中,所述第一化学清洗剂适于增大污染物颗粒的亲水性以及污染物颗粒与晶圆表面的电性排斥力;执行所述第一清洗制程后,对所述晶圆进行干燥处理。本发明实施例有利于提高对晶圆的清洗效果,有效减少晶圆上污染物颗粒的残留数量。
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