半导体结构的形成方法、晶体管

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专利状态

半导体结构的形成方法、晶体管

有效

专利申请进度

申请

2019-10-15

申请公布

2021-04-16

授权

2024-03-01

预估到期

2039-10-15

专利基础信息

申请号	CN201910977751.1	申请日	2019-10-15
申请公布号	CN112670168A	申请公布日	2021-04-16
授权公布号	CN112670168B	授权公告日	2024-03-01
分类号	H01L21/033;H01L21/027
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号

专利法律状态

2024-03-01

授权

状态信息

授权
2021-05-04

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L21/033；申请日:20191015
2021-04-16

公布

状态信息

公布

摘要

一种半导体结构的形成方法、晶体管，形成方法包括：提供基底；在基底上形成有机层，有机层中具有露出基底的开口；进行多次阻断图形化处理，在开口露出的基底上形成阻断结构，阻断图形化处理的步骤包括：在有机层的表面以及基底上保形覆盖阻断材料层；去除高于有机层的顶面的阻断材料层；去除部分厚度的有机层；去除剩余的有机层露出的阻断材料层；去除剩余的有机层。本发明实施例中，阻断图形化处理的过程中，阻断材料层中的中间区域和边缘区域的被刻蚀速率差异降低，有利于提高形成的阻断结构的顶面的平坦度，使得阻断结构在后续过程中能起到更好的掩膜作用。

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