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专利状态
半导体结构及其形成方法
有效
专利申请进度
申请
2019-02-28
申请公布
2020-09-04
授权
2023-10-24
预估到期
2039-02-28
专利基础信息
申请号 CN201910153800.X 申请日 2019-02-28
申请公布号 CN111627907A 申请公布日 2020-09-04
授权公布号 CN111627907B 授权公告日 2023-10-24
分类号 H01L27/088;H01L27/092;H01L21/8234;H01L21/8238
分类 基本电气元件;
申请人名称 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址 上海市浦东新区张江路18号
专利法律状态
  • 2023-10-24
    授权
    状态信息
    授权
  • 2020-09-04
    公布
    状态信息
    公布
摘要
一种半导体结构及形成方法,结构包括:衬底,衬底包括第一区域、第二区域和第三区域,第一区域和第二区域位于第三区域两侧且与第三区域相邻,第一区域上有第一鳍部,第二区域上有第二鳍部,第三区域上有第三鳍部,第一鳍部、第二鳍部和第三鳍部相互平行,衬底上有隔离层,隔离层还位于第一鳍部部分侧壁表面、第二鳍部部分侧壁表面及第三鳍部部分侧壁表面,且隔离层表面低于第一鳍部、第二鳍部和第三鳍部的顶部表面;位于第一鳍部上的第一外延层;位于第二鳍部上的第二外延层;位于第三鳍部上的第三外延层,第三外延层的两侧与第一外延层和第二外延层相接触;位于第一外延层、第二外延层和第三外延层上的导电结构。所述半导体结构性能较好。