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专利状态
半导体器件及其形成方法
有效
专利申请进度
申请
2018-08-29
申请公布
2020-03-10
授权
2023-10-20
预估到期
2038-08-29
专利基础信息
申请号 CN201810993858.0 申请日 2018-08-29
申请公布号 CN110875388A 申请公布日 2020-03-10
授权公布号 CN110875388B 授权公告日 2023-10-20
分类号 H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423;H01L21/28
分类 基本电气元件;
申请人名称 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址 上海市浦东新区张江路18号
专利法律状态
  • 2023-10-20
    授权
    状态信息
    授权
  • 2020-04-03
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):H01L29/78;申请日:20180829
  • 2020-03-10
    公布
    状态信息
    公布
摘要
一种半导体器件及其形成方法,方法包括:提供基底;在所述基底上形成介质层,介质层内具有贯穿介质层的栅开口;在介质层上和栅开口内形成初始阻挡层,所述初始阻挡层覆盖栅开口底部表面和侧壁表面;形成初始阻挡层后,在栅开口内形成填充满栅开口的第一栅极层,所述第一栅极层表面与初始阻挡层齐平;回刻蚀所述第一栅极层以形成栅极层,所述栅极层顶部表面低于介质层表面;回刻蚀所述初始阻挡层以形成阻挡层,所述阻挡层顶部表面低于或齐平于栅极层顶部表面,且在介质层内形成第一开口;在所述第一开口内形成保护层,所述保护层填充满所述第一开口。所述方法提高了半导体器件的性能。