一种半导体器件的形成方法

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专利状态

一种半导体器件的形成方法

有效

专利申请进度

申请

2019-05-21

申请公布

2020-11-24

授权

2023-11-07

预估到期

2039-05-21

专利基础信息

申请号	CN201910426060.2	申请日	2019-05-21
申请公布号	CN111987103A	申请公布日	2020-11-24
授权公布号	CN111987103B	授权公告日	2023-11-07
分类号	H10B41/35;H10B41/40
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号

专利法律状态

2023-11-07

授权

状态信息

授权
2020-12-11

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/11517；申请日:20190521
2020-11-24

公布

状态信息

公布

摘要

本发明实施例提供了一种半导体器件的形成方法。在本发明实施例中，通过采用多层材料堆叠形成的硬掩膜层，使得在光刻形成第一堆叠结构及第二堆叠结构的过程中，不同的堆叠结构上方的硬掩膜层的厚度差较小。并且在去除所述硬掩膜层后，第一堆叠结构和第二堆叠结构的高度基本相同，隔离层的上表面高于所述第一堆叠结构和第二堆叠结构的层间绝缘层的上表面。由此，能够提高半导体器件的数据保留能力和耐久性。

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