半导体结构及其形成方法_专利查询-品牌网

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专利状态

半导体结构及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2018-06-29

申请公布

2020-01-07

授权

2024-01-26

预估到期

2038-06-29

专利基础信息

申请号	CN201810704710.0	申请日	2018-06-29
申请公布号	CN110660669A	申请公布日	2020-01-07
授权公布号	CN110660669B	授权公告日	2024-01-26
分类号	H01L21/336;H01L29/78
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号

专利法律状态

2024-01-26

授权

状态信息

授权
2020-02-04

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L21/336；申请日:20180629
2020-01-07

公布

状态信息

公布

摘要

一种半导体结构及其形成方法，其中，半导体结构的形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成栅极结构；在所述栅极结构的侧壁上形成延伸至所述基底中的侧墙层；刻蚀所述侧墙层露出的基底材料，形成沟槽；在所述沟槽中形成源漏掺杂层。一种半导体结构，包括：衬底；栅极结构，位于所述衬底上；沟槽，位于所述栅极结构之间的衬底中；源漏掺杂层，位于所述沟槽中；侧墙层，位于所述栅极结构的侧壁上，所述侧墙层的底端延伸至所述源漏掺杂层中。本发明减小了短沟道效应对器件的影响，提高了器件性能。

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