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专利状态
半导体结构及其形成方法
有效
专利申请进度
申请
2019-02-11
申请公布
2020-08-18
授权
2024-02-02
预估到期
2039-02-11
专利基础信息
申请号 CN201910110185.4 申请日 2019-02-11
申请公布号 CN111554578A 申请公布日 2020-08-18
授权公布号 CN111554578B 授权公告日 2024-02-02
分类号 H01L21/336;H01L21/768;H01L21/28;H01L29/78
分类 基本电气元件;
申请人名称 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
专利法律状态
  • 2024-02-02
    授权
    状态信息
    授权
  • 2020-08-18
    公布
    状态信息
    公布
摘要
一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供基底,基底上形成有栅极结构,栅极结构两侧的基底内形成有源漏掺杂层,基底上形成有保形覆盖源漏掺杂层及其露出的栅极结构侧壁的刻蚀停止层,栅极结构露出的基底上形成有层间介质层;在栅极结构两侧的层间介质层和刻蚀停止层内形成接触孔;沿垂直于接触孔侧壁的方向,刻蚀接触孔侧壁露出的刻蚀停止层,形成由层间介质层、剩余刻蚀停止层和源漏掺杂层围成的沟槽;形成填充沟槽和接触孔的接触孔插塞,接触孔插塞与源漏掺杂层电连接。本发明实施例在使得栅极结构和接触孔插塞所形成的边缘寄生电容满足工艺要求的同时,降低接触孔插塞和源漏掺杂层之间的接触电阻。