首页
品牌
排行
问答
专题
特惠
资讯
展会
百科
热门行业
装修建材
家居生活
餐饮食品
母婴教育
电脑办公
服装首饰
汽车工具
家电数码
机械化工
休闲美容
热门行业
教育培训
板材
地板
涂料
家纺
集成吊顶
美缝剂
木门
硅藻泥
管材
指纹锁
橱柜
衣柜
床垫
电热水器
集成灶
暖气片
净水器
酒店
卫浴
装修建材
卫浴洁具
板材
地板
建筑陶瓷
天花板
涂料
瓷砖泥瓦
水电管材
火锅
快餐
生活用品
软装
装饰装潢
灯具
家纺
干洗服务
内衣
男装
女装
幼教
整体卫浴
地板砖
阻燃板
铝材
集成吊顶
美缝剂
硅藻泥
管材
烤鱼
汉堡
叶酸
婴儿用品
婴儿床
指纹锁
品牌首页
品牌资讯
企业信息
商标信息
专利信息
返回上一页
专利状态
半导体结构及其形成方法
有效
专利申请进度
申请
2019-02-11
申请公布
2020-08-18
授权
2024-02-02
预估到期
2039-02-11
专利基础信息
申请号
CN201910110185.4
申请日
2019-02-11
申请公布号
CN111554578A
申请公布日
2020-08-18
授权公布号
CN111554578B
授权公告日
2024-02-02
分类号
H01L21/336;H01L21/768;H01L21/28;H01L29/78
分类
基本电气元件;
申请人名称
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
专利法律状态
2024-02-02
授权
状态信息
授权
2020-08-18
公布
状态信息
公布
摘要
一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供基底,基底上形成有栅极结构,栅极结构两侧的基底内形成有源漏掺杂层,基底上形成有保形覆盖源漏掺杂层及其露出的栅极结构侧壁的刻蚀停止层,栅极结构露出的基底上形成有层间介质层;在栅极结构两侧的层间介质层和刻蚀停止层内形成接触孔;沿垂直于接触孔侧壁的方向,刻蚀接触孔侧壁露出的刻蚀停止层,形成由层间介质层、剩余刻蚀停止层和源漏掺杂层围成的沟槽;形成填充沟槽和接触孔的接触孔插塞,接触孔插塞与源漏掺杂层电连接。本发明实施例在使得栅极结构和接触孔插塞所形成的边缘寄生电容满足工艺要求的同时,降低接触孔插塞和源漏掺杂层之间的接触电阻。
更多专利
1
掩膜版及三重图形化的方法
2
半导体结构及其形成方法
3
半导体器件及其形成方法
4
半导体结构及其形成方法
5
半导体结构及其形成方法
6
半导体结构及其形成方法
7
一种半导体结构及形成方法
8
半导体结构及其形成方法
9
半导体结构及其形成方法
10
半导体结构及其形成方法
11
电容器、半导体器件及其制造方法
12
半导体结构及其形成方法
13
上电复位电路和集成电路
14
纳米管随机存储器及其形成方法
15
非易失性存储电路及其存储方法和读取方法
16
半导体结构及其形成方法
17
半导体结构及其形成方法
18
半导体结构的形成方法、晶体管
19
工艺传感器
20
鳍式场效应管的制备方法、鳍式场效应管及硅衬底
全国服务热线:
在线客服
1211389656
咨询
商务合作
85926368
咨询
媒体合作
921888730
咨询
在线客服
客服微信号
品牌网官方客服微信
打开微信扫一扫
客服微信
商务合作微信
商务合作详谈
打开微信扫一扫
商务合作
回到顶部