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专利状态
半导体结构及其形成方法
有效
专利申请进度
申请
2019-07-31
申请公布
2021-02-02
授权
2023-10-17
预估到期
2039-07-31
专利基础信息
申请号 CN201910702058.3 申请日 2019-07-31
申请公布号 CN112309864A 申请公布日 2021-02-02
授权公布号 CN112309864B 授权公告日 2023-10-17
分类号 H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10;H01L21/265
分类 基本电气元件;
申请人名称 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
专利法律状态
  • 2023-10-17
    授权
    状态信息
    授权
  • 2021-02-23
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):H01L21/336;申请日:20190731
  • 2021-02-02
    公布
    状态信息
    公布
摘要
一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供基底,第一区域基底表面高于第二区域基底表面,第二区域基底上形成有一个或多个堆叠的底部沟道叠层,第一区域基底上和第二区域底部沟道叠层上形成有一个或多个堆叠的顶部沟道叠层;形成栅极结构,第一区域栅极结构横跨顶部沟道叠层,第二区域栅极结构横跨顶部沟道叠层和底部沟道叠层;刻蚀第一区域栅极结构两侧的顶部沟道叠层、以及第二区域栅极结构两侧的顶部沟道叠层和底部沟道叠层,在第一区域顶部沟道叠层中第一凹槽,在第二区域顶部沟道叠层和底部沟道叠层中形成第二凹槽;在第一凹槽和第二凹槽中形成源漏掺杂层。本发明满足不同电路中对具有不同性能的器件的需求。