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专利状态
一种半导体器件的形成方法
有效
专利申请进度
申请
2020-01-21
申请公布
2021-08-06
授权
2023-09-29
预估到期
2040-01-21
专利基础信息
申请号
CN202010072650.2
申请日
2020-01-21
申请公布号
CN113223962A
申请公布日
2021-08-06
授权公布号
CN113223962B
授权公告日
2023-09-29
分类号
H01L21/336;H01L21/265;H01L29/06
分类
基本电气元件;
申请人名称
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
专利法律状态
2023-09-29
授权
状态信息
授权
2021-08-24
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L21/336;申请日:20200121
2021-08-06
公布
状态信息
公布
摘要
本发明公开了一种半导体器件的形成方法,包括提供半导体衬底,半导体衬底包括第一区和第二区,先在半导体衬底的第一区上形成第一栅极结构,在第二区上形成第一初始光阻层,然后以第一初始光阻层为掩模,进行第一阱离子注入,以形成第一阱区;接着减薄第一初始光阻层以形成比第一初始光阻层薄的第一光阻层,以该第一光阻层和第一栅极结构为掩模,采用第一倾斜离子注入在第一栅极结构两侧的第一有源区中形成第一晕环区。即只需要设置一个光阻层就可以同时满足第一阱离子注入和第一倾斜离子注入时对光阻层厚度的需求,节约了光阻层的材料;并且减薄第一初始光阻层得到的第一光阻层可以保证第一倾斜离子注入时的有效注入,以保证器件性能。
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