半导体结构的形成方法_专利查询-品牌网

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专利状态

半导体结构的形成方法

有效

专利申请进度

申请

2020-06-28

申请公布

2021-12-28

授权

2024-03-01

预估到期

2040-06-28

专利基础信息

申请号	CN202010598190.7	申请日	2020-06-28
申请公布号	CN113851376A	申请公布日	2021-12-28
授权公布号	CN113851376B	授权公告日	2024-03-01
分类号	H01L21/308
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号

专利法律状态

2024-03-01

授权

状态信息

授权
2022-01-14

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L21/308；申请日:20200628
2021-12-28

公布

状态信息

公布

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在基底上形成一个或多个堆叠的图形传递叠层，包括堆叠的刻蚀停止层和核心材料层；对每个图形传递叠层进行图形化处理，包括：图形化核心材料层形成核心层，相邻核心层围成沟槽；形成保形覆盖的侧墙材料层，与刻蚀停止层材料相同；执行侧墙材料层的主刻蚀工艺，形成掩膜侧墙；在核心层和掩膜侧墙顶部以及沟槽中形成保护层；去除高于核心层顶面的保护层并执行侧墙材料层的过刻蚀工艺，露出核心层顶部；去除核心层和剩余保护层；掩膜侧墙用于在下次图形化处理中作为图形化核心材料层的掩膜或者作为图形化基底的掩膜；以掩膜侧墙为掩膜图形化基底形成目标图形。本发明提高图形传递精度且降低工艺复杂度。

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