一种半导体器件的形成方法及半导体器件

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专利状态

一种半导体器件的形成方法及半导体器件

有效

专利申请进度

申请

2019-04-03

申请公布

2020-10-16

授权

2024-01-26

预估到期

2039-04-03

专利基础信息

申请号	CN201910267999.9	申请日	2019-04-03
申请公布号	CN111785687A	申请公布日	2020-10-16
授权公布号	CN111785687B	授权公告日	2024-01-26
分类号	H01L21/8234;H01L27/088
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号

专利法律状态

2024-01-26

授权

状态信息

授权
2020-11-03

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L21/8234；申请日:20190403
2020-10-16

公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开了一种半导体器件的形成方法，包括：首先在衬底的一侧形成第一区域和第二区域，且第一区域和第二区域内沉积有具有栅极沟槽的中间层，然后在中间层远离衬底的一侧及栅极沟槽的内壁上沉积栅极氧化层，接着在第二区域的栅极氧化层远离衬底的一侧沉积层间隔离层，并进行掺氮处理，最后去除第二区域的层间隔离层和栅极氧化层。相比于现有技术中多次循环进行双栅氧工艺去除栅极氧化层的方法；本发明无需进行双栅氧工艺即可去除栅极氧化层，避免了多次进行双栅氧工艺造成的栅极沟槽增大、鳍部过高的问题，提高了半导体器件的性能。本发明还提供了一种性能更好的半导体器件。

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