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专利状态
半导体结构及其形成方法
有效
专利申请进度
申请
2020-04-17
申请公布
2021-10-22
授权
2024-02-02
预估到期
2040-04-17
专利基础信息
申请号 CN202010305760.9 申请日 2020-04-17
申请公布号 CN113540239A 申请公布日 2021-10-22
授权公布号 CN113540239B 授权公告日 2024-02-02
分类号 H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336
分类 基本电气元件;
申请人名称 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
专利法律状态
  • 2024-02-02
    授权
    状态信息
    授权
  • 2021-10-22
    公布
    状态信息
    公布
摘要
一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供基底,基底包括衬底和位于衬底上的鳍部;采用喷涂工艺在基底上形成伪栅材料层,伪栅材料层覆盖鳍部;图形化伪栅材料层,形成伪栅结构,伪栅结构横跨鳍部,且覆盖鳍部的部分顶壁和部分顶面。本发明实施例中,喷涂工艺的工艺温度较低,因此采用喷涂工艺在基底上形成伪栅材料层的过程中,伪栅材料层与鳍部的侧壁和顶面不易形成强共价键,相应的,伪栅结构与鳍部的侧壁和顶面不易形成强共价键,在后续去除伪栅结构的过程中,鳍部侧壁底部与隔离层拐角处的伪栅结构易于去除,从而有利于提高半导体结构的电学性能。