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专利状态
半导体结构及其形成方法
有效
专利申请进度
申请
2019-01-17
申请公布
2020-07-24
授权
2024-02-06
预估到期
2039-01-17
专利基础信息
申请号
CN201910044809.7
申请日
2019-01-17
申请公布号
CN111446204A
申请公布日
2020-07-24
授权公布号
CN111446204B
授权公告日
2024-02-06
分类号
H01L21/768;H01L23/48;H01L23/528;H01L23/535
分类
基本电气元件;
申请人名称
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
专利法律状态
2024-02-06
授权
状态信息
授权
2020-08-18
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L21/768;申请日:20190117
2020-07-24
公布
状态信息
公布
摘要
一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供基底,基底包括第一导电层以及位于第一导电层上的刻蚀停止材料层;在刻蚀停止材料层上形成缓冲材料层;在缓冲材料层上形成第二介电层,缓冲材料层的C含量少于第二介电层中的C含量;刻蚀第二介电层,形成露出缓冲材料层的开口;刻蚀缓冲材料层,形成缓冲层;刻蚀缓冲层露出的刻蚀停止材料层,形成露出第一导电层的沟槽,剩余刻蚀停止材料层作为刻蚀停止层,沟槽的侧壁包括刻蚀停止层的侧壁和缓冲层的侧壁;填充开口和沟槽,形成第二导电层。在刻蚀缓冲材料层,形成缓冲层的过程中,不易产生聚合物杂质,形成的沟槽侧壁与第一导电层上表面的夹角更小,优化了半导体结构的电学性能。
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