隧穿场效应晶体管及其形成方法

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专利状态

隧穿场效应晶体管及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2018-07-13

申请公布

2020-01-21

授权

2023-10-20

预估到期

2038-07-13

专利基础信息

申请号	CN201810770624.X	申请日	2018-07-13
申请公布号	CN110718463A	申请公布日	2020-01-21
授权公布号	CN110718463B	授权公告日	2023-10-20
分类号	H01L21/331;H01L29/739;H01L29/45
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区张江路18号

专利法律状态

2023-10-20

授权

状态信息

授权
2020-02-21

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L21/331；申请日:20180713
2020-01-21

公布

状态信息

公布

摘要

一种隧穿场效应晶体管及其形成方法，方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内具有沟道区，所述沟道区表面具有栅极结构，分别在栅极结构两侧的半导体衬底内形成第一硅化物层和第二硅化物层，第一硅化物层和第二硅化物层到栅极结构侧壁的距离大于零；在第一硅化物层和栅极结构之间形成第一掺杂区，所述第一掺杂区具有第一离子；在第二硅化物层和栅极结构之间形成第二掺杂区，所述第二掺杂区具有第二离子，所述第一离子和第二离子导电类型相反。所述方法提高了隧穿场效应晶体管的性能。

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