IGBT器件及其形成方法_专利查询-品牌网

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专利状态

IGBT器件及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2018-04-11

申请公布

2019-10-22

授权

2024-02-02

预估到期

2038-04-11

专利基础信息

申请号	CN201810322007.3	申请日	2018-04-11
申请公布号	CN110364568A	申请公布日	2019-10-22
授权公布号	CN110364568B	授权公告日	2024-02-02
分类号	H01L29/739;H01L29/40;H01L21/331
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区张江路18号

专利法律状态

2024-02-02

授权

状态信息

授权
2019-10-22

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供了一种IGBT器件及其形成方法。由于IGBT器件的终端区中，其场板结构是嵌入到衬底中，从而使场板结构相对于衬底表面的高度大大降低，如此有利于缩减终端区和有源区之间的高度差异，进而可改善后续的工艺中由于较大的高度差而使得制备难度较大的问题。

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