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专利状态
半导体结构及其形成方法
有效
专利申请进度
申请
2019-06-28
申请公布
2020-12-29
授权
2024-01-26
预估到期
2039-06-28
专利基础信息
申请号
CN201910579439.7
申请日
2019-06-28
申请公布号
CN112151595A
申请公布日
2020-12-29
授权公布号
CN112151595B
授权公告日
2024-01-26
分类号
H01L29/06;H01L29/41;H01L21/336;H01L29/78
分类
基本电气元件;
申请人名称
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
专利法律状态
2024-01-26
授权
状态信息
授权
2021-01-15
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L29/06;申请日:20190628
2020-12-29
公布
状态信息
公布
摘要
一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:形成基底,所述基底包括衬底、位于所述衬底上的源掺杂层以及凸出于所述源掺杂层的半导体柱,所述半导体柱为T形结构,所述半导体柱包括第一半导体柱以及位于所述第一半导体柱上的第二半导体柱,所述第二半导体柱的宽度大于所述第一半导体柱的宽度;形成栅极结构,所述栅极结构包围所述第一半导体柱的部分侧壁,所述栅极结构露出所述第二半导体柱;在所述第二半导体柱的顶部形成漏掺杂层。本发明实施例有利于提升半导体结构的性能。
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