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专利状态

封装结构及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2020-04-27

申请公布

2021-11-12

授权

2024-03-01

预估到期

2040-04-27

专利基础信息

申请号	CN202010346530.7	申请日	2020-04-27
申请公布号	CN113644040A	申请公布日	2021-11-12
授权公布号	CN113644040B	授权公告日	2024-03-01
分类号	H01L23/485;H01L21/60
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号

专利法律状态

2024-03-01

授权

状态信息

授权
2021-11-30

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L23/485；申请日:20200427
2021-11-12

公布

状态信息

公布

摘要

本发明实施例提供了一种封装结构及其形成方法，所述封装结构包括：基底，所述基底包括层间介质层；位于所述基底表面的焊垫；位于所述焊垫上的凸块下金属层；位于所述凸块下金属层上的导电凸块，所述导电凸块沿其延伸方向的延伸线在所述基底的投影过所述基底表面的中心点，从而使得导电凸块承受应力的区域面积最大化，进而降低导电凸块受力时该区域的压强，避免基底内的层间介质层产生断裂或剥离，提升封装结构能够承受的最大应力，进而提升封装结构的可靠性。

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