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专利状态

半导体结构及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2020-05-15

申请公布

2021-11-19

授权

2024-01-26

预估到期

2040-05-15

专利基础信息

申请号	CN202010415015.X	申请日	2020-05-15
申请公布号	CN113675141A	申请公布日	2021-11-19
授权公布号	CN113675141B	授权公告日	2024-01-26
分类号	H01L21/8238;H01L27/092
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区张江路18号

专利法律状态

2024-01-26

授权

状态信息

授权
2021-12-07

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L21/8238；申请日:20200515
2021-11-19

公布

状态信息

公布

摘要

一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底，衬底包括若干CMOS区，CMOS区包括NMOS区和PMOS区；在衬底上形成复合纳米片材料层；在复合纳米片材料层上依次形成第一核心材料层和第一掩膜材料层；依次刻蚀第一掩膜材料层和第一核心材料层，在NMOS区与PMOS区之间的复合纳米片材料层上形成第一核心层以及第一掩膜层；在第一核心层和第一掩膜层的侧壁上形成第一侧墙；去除第一掩膜层；以第一侧墙为掩膜，刻蚀第一核心层、复合纳米片材料层以及衬底，形成鳍部结构，在相邻所述CMOS区之间形成第一开口，在相邻NMOS区和PMOS区之间形成第二开口，第二开口的深度小于第一开口的深度。本发明提供的半导体结构的形成方法，有利于提高半导体结构的性能。

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