半导体结构及其形成方法_专利查询-品牌网

热门行业
装修建材
家居生活
餐饮食品
母婴教育
电脑办公
服装首饰
汽车工具
家电数码
机械化工
休闲美容

热门行业

教育培训
板材
地板
涂料
家纺
集成吊顶
美缝剂
木门
硅藻泥
管材
指纹锁
橱柜
衣柜
床垫
电热水器
集成灶
暖气片
净水器
酒店
卫浴

返回上一页

专利状态

半导体结构及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2019-12-20

申请公布

2021-06-22

授权

2023-12-22

预估到期

2039-12-20

专利基础信息

申请号	CN201911330044.X	申请日	2019-12-20
申请公布号	CN113013099A	申请公布日	2021-06-22
授权公布号	CN113013099B	授权公告日	2023-12-22
分类号	H01L21/8234;H01L27/088
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区张江路18号

专利法律状态

2023-12-22

授权

状态信息

授权
2021-06-22

公布

状态信息

公布

摘要

一种半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供衬底，所述衬底包括若干器件区，以及位于相邻器件区之间的隔离区；在所述衬底表面形成源漏掺杂层；在所述隔离区内形成第一开口；在所述第一开口内形成第一隔离结构；在形成所述第一隔离结构后，在所述器件区的源漏掺杂层表面形成沟道柱；形成环绕所述沟道柱的侧壁的栅结构。所述方法能够提高半导体器件的性能。

更多专利

全国服务热线：

在线客服

1211389656 咨询

商务合作

85926368 咨询

媒体合作

921888730 咨询

在线客服
客服微信号

品牌网官方客服微信

打开微信扫一扫

客服微信
商务合作微信

商务合作详谈

打开微信扫一扫

商务合作
回到顶部

在线客服

商务合作

媒体合作

客服微信号

商务合作微信