首页
品牌
排行
问答
专题
特惠
资讯
展会
百科
热门行业
装修建材
家居生活
餐饮食品
母婴教育
电脑办公
服装首饰
汽车工具
家电数码
机械化工
休闲美容
热门行业
教育培训
板材
地板
涂料
家纺
集成吊顶
美缝剂
木门
硅藻泥
管材
指纹锁
橱柜
衣柜
床垫
电热水器
集成灶
暖气片
净水器
酒店
卫浴
装修建材
卫浴洁具
板材
地板
建筑陶瓷
天花板
涂料
瓷砖泥瓦
水电管材
火锅
快餐
生活用品
软装
装饰装潢
灯具
家纺
干洗服务
内衣
男装
女装
幼教
整体卫浴
地板砖
阻燃板
铝材
集成吊顶
美缝剂
硅藻泥
管材
烤鱼
汉堡
叶酸
婴儿用品
婴儿床
指纹锁
品牌首页
品牌资讯
企业信息
商标信息
专利信息
返回上一页
专利状态
半导体器件及其形成方法
有效
专利申请进度
申请
2018-12-27
申请公布
2020-07-07
授权
2024-01-26
预估到期
2038-12-27
专利基础信息
申请号
CN201811616732.8
申请日
2018-12-27
申请公布号
CN111384144A
申请公布日
2020-07-07
授权公布号
CN111384144B
授权公告日
2024-01-26
分类号
H01L29/06;H01L29/08;H01L21/336;H01L29/78
分类
基本电气元件;
申请人名称
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址
上海市浦东新区张江路18号
专利法律状态
2024-01-26
授权
状态信息
授权
2020-07-31
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L29/06;申请日:20181227
2020-07-07
公布
状态信息
公布
摘要
一种半导体器件及其形成方法,其中方法包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底内具有漂移区;在所述半导体衬底上形成栅电极材料层,所述栅电极材料层内具有栅极开口;以所述栅电极材料层为掩膜,通过第一离子注入在所述漂移区内形成第二体区,所述第一离子注入的注入方向倾斜于半导体衬底表面法线;以所述栅电极材料层为掩膜,通过第二离子注入在所述第二体区内形成源区,所述第二离子注入的方向平行于半导体衬底表面法线。所述方法形成的半导体器件的导通电阻较小,性能较好。
更多专利
1
半导体结构及其形成方法
2
一种半导体器件及其制作方法、电子装置
3
半导体结构及其形成方法
4
一种半导体结构及其形成方法
5
掩膜及有效减小极紫外掩膜黑边界效应的方法
6
NAND闪存器件及其形成方法
7
半导体结构及其形成方法
8
半导体结构及其形成方法
9
半导体结构及其形成方法
10
半导体结构及其形成方法
11
测试电路
12
半导体结构及其形成方法
13
单侧刻蚀偏差测量方法及设备
14
半导体结构的及其形成方法
15
半导体结构及其形成方法
16
半导体结构及其形成方法
17
一种脉冲产生电路
18
半导体结构及其形成方法,半导体器件及其形成方法
19
自对准双重图形化方法及其形成的半导体结构
20
图形生成方法及掩膜版的制备方法
全国服务热线:
在线客服
1211389656
咨询
商务合作
85926368
咨询
媒体合作
921888730
咨询
在线客服
客服微信号
品牌网官方客服微信
打开微信扫一扫
客服微信
商务合作微信
商务合作详谈
打开微信扫一扫
商务合作
回到顶部