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专利状态
半导体器件及其形成方法
有效
专利申请进度
申请
2018-12-27
申请公布
2020-07-07
授权
2024-01-26
预估到期
2038-12-27
专利基础信息
申请号
CN201811616732.8
申请日
2018-12-27
申请公布号
CN111384144A
申请公布日
2020-07-07
授权公布号
CN111384144B
授权公告日
2024-01-26
分类号
H01L29/06;H01L29/08;H01L21/336;H01L29/78
分类
基本电气元件;
申请人名称
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址
上海市浦东新区张江路18号
专利法律状态
2024-01-26
授权
状态信息
授权
2020-07-31
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L29/06;申请日:20181227
2020-07-07
公布
状态信息
公布
摘要
一种半导体器件及其形成方法,其中方法包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底内具有漂移区;在所述半导体衬底上形成栅电极材料层,所述栅电极材料层内具有栅极开口;以所述栅电极材料层为掩膜,通过第一离子注入在所述漂移区内形成第二体区,所述第一离子注入的注入方向倾斜于半导体衬底表面法线;以所述栅电极材料层为掩膜,通过第二离子注入在所述第二体区内形成源区,所述第二离子注入的方向平行于半导体衬底表面法线。所述方法形成的半导体器件的导通电阻较小,性能较好。
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