半导体器件及其形成方法_专利查询-品牌网

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专利状态

半导体器件及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2018-12-29

申请公布

2020-07-07

授权

2024-01-26

预估到期

2038-12-29

专利基础信息

申请号	CN201811637969.4	申请日	2018-12-29
申请公布号	CN111384172A	申请公布日	2020-07-07
授权公布号	CN111384172B	授权公告日	2024-01-26
分类号	H01L29/78;H01L21/336
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区张江路18号

专利法律状态

2024-01-26

授权

状态信息

授权
2020-07-31

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L29/78；申请日:20181229
2020-07-07

公布

状态信息

公布

摘要

一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供基底，所述基底包括第一区和第二区，所述第一区与第二区邻接，所述第一区和第二区基底上分别具有第一鳍部，相邻第一鳍部之间具有初始开口；在所述第一鳍部侧壁形成侧墙，使得所述初始开口形成开口；在第二区的开口内形成第二鳍部。所述方法提高了半导体器件的性能。

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