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专利状态

半导体结构及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2019-07-30

申请公布

2021-02-02

授权

2023-12-29

预估到期

2039-07-30

专利基础信息

申请号	CN201910697154.3	申请日	2019-07-30
申请公布号	CN112309977A	申请公布日	2021-02-02
授权公布号	CN112309977B	授权公告日	2023-12-29
分类号	H01L21/8234;H01L27/088
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号

专利法律状态

2023-12-29

授权

状态信息

授权
2021-02-23

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L21/8234；申请日:20190730
2021-02-02

公布

状态信息

公布

摘要

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；刻蚀基底，形成初始衬底和凸出于初始衬底的顶部鳍部；在顶部鳍部侧壁上形成保护层；刻蚀保护层和顶部鳍部露出的部分厚度初始衬底，形成衬底以及位于衬底和顶部鳍部之间的初始底部鳍部；以保护层为掩膜，对初始底部鳍部进行减薄处理，适于使剩余初始底部鳍部的顶部宽度小于顶部鳍部的底部宽度，在减薄处理后，剩余初始底部鳍部作为底部鳍部，底部鳍部与顶部鳍部构成鳍部；在鳍部露出的衬底上形成隔离结构，隔离结构顶部低于顶部鳍部底部。本发明分别形成顶部鳍部和初始底部鳍部，并结合形成保护层的步骤和减薄处理的步骤，减小有效鳍部的顶部宽度和底部宽度的差值，从而提高晶体管的性能。

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