半导体器件及其形成方法_专利查询-品牌网

热门行业
装修建材
家居生活
餐饮食品
母婴教育
电脑办公
服装首饰
汽车工具
家电数码
机械化工
休闲美容

热门行业

教育培训
板材
地板
涂料
家纺
集成吊顶
美缝剂
木门
硅藻泥
管材
指纹锁
橱柜
衣柜
床垫
电热水器
集成灶
暖气片
净水器
酒店
卫浴

返回上一页

专利状态

半导体器件及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2020-06-19

申请公布

2021-12-21

授权

2024-03-26

预估到期

2040-06-19

专利基础信息

申请号	CN202010568332.5	申请日	2020-06-19
申请公布号	CN113823691A	申请公布日	2021-12-21
授权公布号	CN113823691B	授权公告日	2024-03-26
分类号	H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区张江路18号

专利法律状态

2024-03-26

授权

状态信息

授权
2021-12-21

公布

状态信息

公布

摘要

一种半导体器件及其形成方法包括：衬底；鳍部，位于衬底上，包括第一部分由牺牲层和衬层组成；第二部分由衬层和通道组成；金属栅极结构，位于衬底上且横跨鳍部的第二部分，填满通道且包围衬层；第一源漏掺杂层，位于金属栅极结构两侧的所述鳍部的第一部分内且位于所述衬底上，第一源漏掺杂层内具有第一掺杂离子；隔离层，位于第一源漏掺杂层上；第二源漏掺杂层，位于部分隔离层上，第二源漏掺杂层内具有第二源掺杂离子，第一掺杂离子与第二掺杂离子的导电类型相反；介质层，位于隔离层上，且覆盖第二源漏掺杂层的顶部和侧壁以及所述金属栅极结构的侧壁；第一导电结构，位于金属栅极结构一侧的介质层内，与第一源漏掺杂层和第二源漏掺杂层电连接。

更多专利

全国服务热线：

在线客服

1211389656 咨询

商务合作

85926368 咨询

媒体合作

921888730 咨询

在线客服
客服微信号

品牌网官方客服微信

打开微信扫一扫

客服微信
商务合作微信

商务合作详谈

打开微信扫一扫

商务合作
回到顶部

在线客服

商务合作

媒体合作

客服微信号

商务合作微信