非易失性存储电路及其存储方法和读取方法

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专利状态

非易失性存储电路及其存储方法和读取方法

有效

专利申请进度

申请

2020-03-05

申请公布

2021-09-07

授权

2024-03-22

预估到期

2040-03-05

专利基础信息

申请号	CN202010146444.1	申请日	2020-03-05
申请公布号	CN113362871A	申请公布日	2021-09-07
授权公布号	CN113362871B	授权公告日	2024-03-22
分类号	G11C11/16;G11C11/18
分类	信息存储;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区张江路18号

专利法律状态

2024-03-22

授权

状态信息

授权
2021-09-24

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):G11C11/16；申请日:20200305
2021-09-07

公布

状态信息

公布

摘要

一种非易失性存储电路及其存储方法和读取方法，所述非易失性存储电路包括：自旋轨道动量矩磁存储器，所述自旋轨道动量矩磁存储器包括自旋霍尔效应层、第一磁性隧道结和第二磁性隧道结，所述自旋霍尔效应层具有相对的第一面和第二面，所述第一磁性隧道结位于所述第一面上，所述第二磁性隧道结位于所述第二面上，所述自旋霍尔效应层还包括第一端和第二端；第一位线；第二位线；第三位线；第四位线；开关组件，所述开关组件使所述第一端与所述第一位线耦接，使所述第二端与所述第二位线耦接，并且，所述开关组件使所述第一磁性隧道结与所述第三位线耦接，使所述第二磁性隧道结与所述第四位线耦接。从而，减少了存储器的成本并提高了存储器的性能。

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