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专利状态
半导体结构及其形成方法
有效
专利申请进度
申请
2020-07-17
申请公布
2022-01-18
授权
2024-03-08
预估到期
2040-07-17
专利基础信息
申请号
CN202010692389.6
申请日
2020-07-17
申请公布号
CN113948463A
申请公布日
2022-01-18
授权公布号
CN113948463B
授权公告日
2024-03-08
分类号
H01L21/82;H01L27/02;H01L29/06
分类
基本电气元件;
申请人名称
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
专利法律状态
2024-03-08
授权
状态信息
授权
2022-02-08
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L21/82;申请日:20200717
2022-01-18
公布
状态信息
公布
摘要
一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:在目标层上形成核心层;在核心层的侧壁形成第一侧墙;沿第二方向在相邻第一侧墙之间的目标层上形成牺牲层,牺牲层覆盖位于第一侧壁的第一侧墙侧壁,且与位于第二侧壁的第一侧墙相间隔;在目标层上形成填充层;去除牺牲层形成开口;至少去除位于第一侧壁的第一侧墙,形成沟槽;形成位于沟槽侧壁且填充于核心层侧壁与填充层之间的侧墙结构层,位于沟槽侧壁的侧墙结构层围成第一凹槽;形成第二凹槽,贯穿第一凹槽和位于第二侧壁的侧墙结构层之间的填充层;去除核心层,形成第三凹槽;刻蚀第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽下方的目标层,形成目标图形。本发明实施例有利于提高目标图形的图形精度。
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