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专利状态
鳍式场效应晶体管器件及其制造方法
有效
专利申请进度
申请
2019-03-28
申请公布
2020-10-09
授权
2023-10-27
预估到期
2039-03-28
专利基础信息
申请号 CN201910244745.5 申请日 2019-03-28
申请公布号 CN111755327A 申请公布日 2020-10-09
授权公布号 CN111755327B 授权公告日 2023-10-27
分类号 H01L21/28;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78
分类 基本电气元件;
申请人名称 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
专利法律状态
  • 2023-10-27
    授权
    状态信息
    授权
  • 2020-10-30
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):H01L21/28;申请日:20190328
  • 2020-10-09
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本发明提供了一种FinFET器件及其制造方法,其中,制造方法具体地是在源漏外延加工前,在虚拟栅极堆叠上部的侧壁上形成保护壁。通过在虚拟栅极堆叠上进一步增设了保护壁,从而确保其中的虚拟栅极电极层能被完全包裹起来,以避免在源漏外延加工时有外露的虚拟栅极电极层,继而发生“蘑菇缺陷”。本发明的方法采用常规的成熟工艺即可实现,实施简单、工艺窗口较宽,并且更为重要的是,其不会对前后其它工艺产生负面影响,具有良好的工艺兼容性。