半导体结构及其形成方法_专利查询-品牌网

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专利状态

半导体结构及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2019-06-28

申请公布

2020-12-29

授权

2024-03-01

预估到期

2039-06-28

专利基础信息

申请号	CN201910577056.6	申请日	2019-06-28
申请公布号	CN112151376A	申请公布日	2020-12-29
授权公布号	CN112151376B	授权公告日	2024-03-01
分类号	H01L21/336;H01L29/78
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号

专利法律状态

2024-03-01

授权

状态信息

授权
2021-01-15

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L21/336；申请日:20190628
2020-12-29

公布

状态信息

公布

摘要

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底和鳍部，衬底上形成有栅极结构，栅极结构横跨鳍部且覆盖鳍部的部分侧壁和部分顶部，栅极结构两侧的鳍部中形成有源漏掺杂区；在衬底上形成第一介质层，第一介质层露出鳍部顶部；形成刻蚀停止层，保形覆盖第一介质层和第一介质层露出的鳍部和源漏掺杂区；在刻蚀停止层上形成第二介质层；形成贯穿第二介质层和刻蚀停止层的导电插塞，导电插塞横跨鳍部，且导电插塞与源漏掺杂区相连接。在第一介质层的作用下，减小了导电插塞和栅极结构之间的有效面积，相应减小了导电插塞和器件栅极结构之间的寄生电容。

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