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专利状态

半导体结构及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2019-07-26

申请公布

2021-02-02

授权

2024-03-01

预估到期

2039-07-26

专利基础信息

申请号	CN201910684621.9	申请日	2019-07-26
申请公布号	CN112310213A	申请公布日	2021-02-02
授权公布号	CN112310213B	授权公告日	2024-03-01
分类号	H01L29/78;H01L21/336
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号

专利法律状态

2024-03-01

授权

状态信息

授权
2021-02-23

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L29/78；申请日:20190726
2021-02-02

公布

状态信息

公布

摘要

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括衬底和位于衬底上的鳍部，基底包括相邻的隔离区和器件区，位于器件区中的鳍部为器件鳍部，位于隔离区中的鳍部为伪鳍部；形成横跨鳍部的伪栅结构；在伪栅结构两侧的鳍部中形成源漏掺杂区；去除伪栅结构，形成栅极开口；去除栅极开口中的伪鳍部。本发明实施例在形成伪栅结构的过程中，因为隔离区中和器件区的鳍部的稀疏程度一致性较好，因此，器件区中和隔离区中的伪栅结构高度均一性好，从而栅极开口的顶部距离器件鳍部顶部的距离与栅极开口顶部距离伪鳍部顶部的距离相当；后续在栅极开口中形成栅极结构，隔离区和器件区中栅极结构的高度一致性较好，优化了半导体结构的电学性能。

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