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专利状态
半导体结构及其形成方法
有效
专利申请进度
申请
2019-06-28
申请公布
2020-12-29
授权
2023-12-15
预估到期
2039-06-28
专利基础信息
申请号
CN201910579468.3
申请日
2019-06-28
申请公布号
CN112151608A
申请公布日
2020-12-29
授权公布号
CN112151608B
授权公告日
2023-12-15
分类号
H01L29/78;H01L21/336;H01L23/485
分类
基本电气元件;
申请人名称
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
专利法律状态
2023-12-15
授权
状态信息
授权
2021-01-15
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L29/78;申请日:20190628
2020-12-29
公布
状态信息
公布
摘要
一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供基底,基底上形成有核心层,核心层上形成有硬掩膜层,硬掩膜层内形成有第一掩膜开口;在第一掩膜开口露出的核心层内形成第一掩膜沟槽,第一掩膜沟槽沿延伸方向包括多个子掩膜沟槽,子掩膜沟槽通过第一掩膜开口露出的核心层相隔离;在子掩膜沟槽侧壁上形成第一侧墙;去除第一掩膜开口所在区域的核心层,在核心层对应位置处形成由第一侧墙和基底围成的第二掩膜沟槽,第二掩膜沟槽和第一掩膜沟槽通过第一侧墙相隔离;在第二掩膜沟槽的侧壁上形成第二侧墙,第一侧墙和基底、以及第二侧墙和基底围成第一目标沟槽。侧壁相接触的第一侧墙和第二侧墙作为剪切部件,改善了第一目标沟槽端部的圆角问题。
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