首页
品牌
排行
问答
专题
特惠
资讯
展会
百科
热门行业
装修建材
家居生活
餐饮食品
母婴教育
电脑办公
服装首饰
汽车工具
家电数码
机械化工
休闲美容
热门行业
教育培训
板材
地板
涂料
家纺
集成吊顶
美缝剂
木门
硅藻泥
管材
指纹锁
橱柜
衣柜
床垫
电热水器
集成灶
暖气片
净水器
酒店
卫浴
装修建材
卫浴洁具
板材
地板
建筑陶瓷
天花板
涂料
瓷砖泥瓦
水电管材
火锅
快餐
生活用品
软装
装饰装潢
灯具
家纺
干洗服务
内衣
男装
女装
幼教
整体卫浴
地板砖
阻燃板
铝材
集成吊顶
美缝剂
硅藻泥
管材
烤鱼
汉堡
叶酸
婴儿用品
婴儿床
指纹锁
品牌首页
品牌资讯
企业信息
商标信息
专利信息
返回上一页
专利状态
半导体结构及其形成方法
有效
专利申请进度
申请
2019-05-31
申请公布
2020-12-01
授权
2023-10-17
预估到期
2039-05-31
专利基础信息
申请号
CN201910471954.3
申请日
2019-05-31
申请公布号
CN112017963A
申请公布日
2020-12-01
授权公布号
CN112017963B
授权公告日
2023-10-17
分类号
H01L21/336;H01L29/78;H01L29/45
分类
基本电气元件;
申请人名称
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
专利法律状态
2023-10-17
授权
状态信息
授权
2020-12-18
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L21/336;申请日:20190531
2020-12-01
公布
状态信息
公布
摘要
一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供基底,基底包括源漏掺杂区以及位于源漏掺杂区上的层间介质层;刻蚀层间介质层,形成露出源漏掺杂区的开口;在开口露出的源漏掺杂区顶部形成第一掺杂区和位于第一掺杂区上的第二掺杂区,第二掺杂区在基底上的投影覆盖第一掺杂区在基底上的投影,且第一掺杂区、第二掺杂区以及源漏掺杂区的掺杂离子类型相同,第一掺杂区和第二掺杂区的掺杂离子浓度大于源漏掺杂区的掺杂离子浓度。第一掺杂区和第二掺杂区包围位于源漏掺杂区中的接触孔插塞,使得接触孔插塞不易直接与源漏掺杂区接触,降低了接触孔插塞与源漏掺杂区的接触电阻,改善了半导体结构的电学性能。
更多专利
1
半导体结构及其形成方法
2
半导体结构及其形成方法
3
一种半导体器件及其形成方法
4
一种半导体器件及形成方法
5
上电复位电路和集成电路
6
掩膜图形修复方法及掩膜板
7
半导体结构及其形成方法
8
半导体结构及其形成方法
9
半导体结构及其形成方法
10
半导体结构及其形成方法
11
半导体结构及其形成方法
12
半导体器件及其形成方法
13
一种双模预分频器
14
电容器、半导体器件及其制造方法
15
半导体结构的形成方法
16
一种半导体器件及其制作方法、电子装置
17
半导体结构及其形成方法
18
半导体结构及其形成方法
19
半导体结构及其形成方法
20
半导体结构及其形成方法
全国服务热线:
在线客服
1211389656
咨询
商务合作
85926368
咨询
媒体合作
921888730
咨询
在线客服
客服微信号
品牌网官方客服微信
打开微信扫一扫
客服微信
商务合作微信
商务合作详谈
打开微信扫一扫
商务合作
回到顶部