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专利状态
半导体结构及其形成方法
有效
专利申请进度
申请
2019-05-31
申请公布
2020-12-01
授权
2023-10-17
预估到期
2039-05-31
专利基础信息
申请号 CN201910471954.3 申请日 2019-05-31
申请公布号 CN112017963A 申请公布日 2020-12-01
授权公布号 CN112017963B 授权公告日 2023-10-17
分类号 H01L21/336;H01L29/78;H01L29/45
分类 基本电气元件;
申请人名称 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
专利法律状态
  • 2023-10-17
    授权
    状态信息
    授权
  • 2020-12-18
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):H01L21/336;申请日:20190531
  • 2020-12-01
    公布
    状态信息
    公布
摘要
一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供基底,基底包括源漏掺杂区以及位于源漏掺杂区上的层间介质层;刻蚀层间介质层,形成露出源漏掺杂区的开口;在开口露出的源漏掺杂区顶部形成第一掺杂区和位于第一掺杂区上的第二掺杂区,第二掺杂区在基底上的投影覆盖第一掺杂区在基底上的投影,且第一掺杂区、第二掺杂区以及源漏掺杂区的掺杂离子类型相同,第一掺杂区和第二掺杂区的掺杂离子浓度大于源漏掺杂区的掺杂离子浓度。第一掺杂区和第二掺杂区包围位于源漏掺杂区中的接触孔插塞,使得接触孔插塞不易直接与源漏掺杂区接触,降低了接触孔插塞与源漏掺杂区的接触电阻,改善了半导体结构的电学性能。