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专利状态
半导体结构及其形成方法
有效
专利申请进度
申请
2020-07-06
申请公布
2022-01-07
授权
2023-12-22
预估到期
2040-07-06
专利基础信息
申请号 CN202010641651.4 申请日 2020-07-06
申请公布号 CN113903805A 申请公布日 2022-01-07
授权公布号 CN113903805B 授权公告日 2023-12-22
分类号 H01L29/78;H01L29/423;H01L23/528;H01L21/768;H01L21/336
分类 基本电气元件;
申请人名称 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址 上海市浦东新区张江路18号
专利法律状态
  • 2023-12-22
    授权
    状态信息
    授权
  • 2022-01-07
    公布
    状态信息
    公布
摘要
一种半导体结构及其形成方法,包括:衬底,衬底包括第一区和若干个第二区;位于衬底上的沟道柱;位于衬底上的第一隔离层;位于第一区上的第一隔离层内的开口,开口暴露出沟道柱的部分侧壁;位于沟道柱侧壁和第一隔离层的部分表面的栅极结构。通过位于第一区上的第一隔离层内的开口,开口暴露出沟道柱的部分侧壁,使得沟道柱暴露出的侧壁面积增加,进而栅极结构覆盖沟道柱侧壁的面积增大,对应的形成的沟道区的在垂直于衬底表面方向上的长度也增加,通过沟道柱的长度增加,降低了短沟道效应,以此提升最终形成的半导体结构的性能。另外,在位于第二区上的第一隔离层厚度大于第一区的第一隔离层的厚度,使得栅极结构与衬底之间的寄生电容较小。