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专利状态
掩膜及有效减小极紫外掩膜黑边界效应的方法
有效
专利申请进度
申请
2020-09-08
申请公布
2022-03-08
授权
2024-03-26
预估到期
2040-09-08
专利基础信息
申请号 CN202010933006.X 申请日 2020-09-08
申请公布号 CN114153125A 申请公布日 2022-03-08
授权公布号 CN114153125B 授权公告日 2024-03-26
分类号 G03F7/20;H01L21/027
分类 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术〔4〕;
申请人名称 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
专利法律状态
  • 2024-03-26
    授权
    状态信息
    授权
  • 2022-03-08
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本发明公开了一种有效减小极紫外掩膜黑边界效应的方法,包括:提供光刻掩膜;得到光刻掩膜图案区域的外边界到图案区域中轴的距离;得到距离和尺寸补偿值的对应关系;其中,图案区域包括第一图案区域和位于其外周侧的第二图案区域;根据距离与距离和尺寸补偿值的对应关系确定尺寸补偿值,进而至少对第二图案区域内的掩膜图案进行补偿,得到修正光刻掩膜,进行光刻。本方案第二图案区域内的掩膜图案的关键尺寸被补偿,在利用修正光刻掩膜进行光刻时,可以有效地减小光刻掩膜黑边界效应对光刻带来的影响,使半导体器件的关键尺寸保持在预设值范围内,进而提高半导体器件的性能。本发明还公开了一种光刻掩膜。