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专利状态
非平面型场效应晶体管的形成方法
有效
专利申请进度
申请
2019-02-28
申请公布
2020-09-04
授权
2023-10-10
预估到期
2039-02-28
专利基础信息
申请号 CN201910151588.3 申请日 2019-02-28
申请公布号 CN111627815A 申请公布日 2020-09-04
授权公布号 CN111627815B 授权公告日 2023-10-10
分类号 H01L21/336;H01L29/78;H01L21/8234
分类 基本电气元件;
申请人名称 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
专利法律状态
  • 2023-10-10
    授权
    状态信息
    授权
  • 2020-09-29
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):H01L21/336;申请日:20190228
  • 2020-09-04
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本发明涉及半导体加工工艺领域,提供了一种非平面型场效应晶体管的形成方法,包括以下步骤:提供半导体衬底以及半导体衬底上的多条鳍部,多条鳍部在横向方向上相互邻接地依次排列;形成侧墙结构,侧墙结构覆盖多条鳍部的横向侧壁;去除部分侧墙结构,保留多条鳍部整体沿横向方向最外侧的侧墙结构;之后,在多条鳍部上生长源漏外延结构。通过以上方式,设置在器件最外侧的侧墙结构能够有效隔离不同非平面场效应晶体管的源漏外延生长,在保证每个器件的源漏外延结构能够在其内部生长至足够体积的同时,避免了不同器件的源漏外延结构的桥连,从而降低了器件之间短接的可能。