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专利状态
半导体结构及半导体结构的形成方法
有效
专利申请进度
申请
2020-05-06
申请公布
2021-11-09
授权
2023-12-22
预估到期
2040-05-06
专利基础信息
申请号
CN202010373385.1
申请日
2020-05-06
申请公布号
CN113629140A
申请公布日
2021-11-09
授权公布号
CN113629140B
授权公告日
2023-12-22
分类号
H01L29/78;H01L23/538;H01L23/528;H01L21/768;H01L21/336
分类
基本电气元件;
申请人名称
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址
上海市浦东新区张江路18号
专利法律状态
2023-12-22
授权
状态信息
授权
2021-11-09
公布
状态信息
公布
摘要
一种半导体结构及半导体结构的形成方法,其中,半导体结构包括:衬底,所述衬底包括沿第一方向排布的若干第一区,以及位于相邻所述第一区之间的第二区;位于所述第一区和第二区表面的源漏掺杂层;位于所述第二区上的若干沟道柱;位于每个所述沟道柱侧壁面以及所述第二区的源漏掺杂层表面的栅极结构;位于每个所述第一区的源漏掺杂层上的第一电互连结构;若干第二电互连结构,所述若干第二电互连结构位于所述第二区的源漏掺杂层表面的栅极结构上,并且,所述第二电互连结构与该沟道柱沿第二方向排布,所述第二方向与所述第一方向之间互相垂直。从而,提高了半导体结构的性能。
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