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专利状态
一种半导体结构及其形成方法
有效
专利申请进度
申请
2019-08-27
申请公布
2021-03-05
授权
2024-03-01
预估到期
2039-08-27
专利基础信息
申请号 CN201910795479.5 申请日 2019-08-27
申请公布号 CN112447828A 申请公布日 2021-03-05
授权公布号 CN112447828B 授权公告日 2024-03-01
分类号 H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78
分类 基本电气元件;
申请人名称 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
专利法律状态
  • 2024-03-01
    授权
    状态信息
    授权
  • 2021-03-23
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):H01L29/423;申请日:20190827
  • 2021-03-05
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本发明实施例提供一种半导体结构及其形成方法,所述方法在基底上形成第一初始栅电极结构后,刻蚀所述第一初始栅电极结构的底部侧壁,使第一初始栅电极结构形成第一栅电极结构,所述第一栅电极结构底部的基底中具有第一沟道区,在沿所述第一沟道区的长度方向上,所述第一栅电极结构的底部尺寸小于顶部尺寸。由于第一初始栅电极结构在第一沟道区的长度方向上的尺寸相对较大,因此在形成第一初始栅电极结构的过程中,能够较好的控制第一初始栅电极结构的尺寸均一性。而第一栅电极结构由刻蚀第一初始栅电极的底部侧壁而形成,因此形成的第一栅电极结构的尺寸均一性较好,从而提高了器件的尺寸均一性,进而提高了器件的性能均一性。