纳米管随机存储器及其形成方法

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专利状态

纳米管随机存储器及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2018-06-25

申请公布

2019-12-31

授权

2023-09-22

预估到期

2038-06-25

专利基础信息

申请号	CN201810663559.0	申请日	2018-06-25
申请公布号	CN110635025A	申请公布日	2019-12-31
授权公布号	CN110635025B	授权公告日	2023-09-22
分类号	H10N70/20;H10B63/00;B82Y10/00
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区张江路18号

专利法律状态

2023-09-22

授权

状态信息

授权
2020-01-24

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L45/00；申请日:20180625
2019-12-31

公布

状态信息

公布

摘要

一种纳米管随机存储器及其形成方法，其中形成方法包括：提供基底，所述基底顶部具有氧化层，氧化层和部分基底内具有第一电极；对第一电极和氧化层顶部进行表面处理，使第一电极和氧化层顶部的粗糙度增加；进行表面处理之后，在氧化层和第一电极顶部形成纳米管材料层。所述方法能够增加纳米管材料层与第一电极和氧化层顶部的结合力。

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