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专利状态
半导体结构及其形成方法
有效
专利申请进度
申请
2020-03-23
申请公布
2021-09-24
授权
2023-10-20
预估到期
2040-03-23
专利基础信息
申请号 CN202010208843.6 申请日 2020-03-23
申请公布号 CN113437148A 申请公布日 2021-09-24
授权公布号 CN113437148B 授权公告日 2023-10-20
分类号 H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/10
分类 基本电气元件;
申请人名称 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址 上海市浦东新区张江路18号
专利法律状态
  • 2023-10-20
    授权
    状态信息
    授权
  • 2021-10-15
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):H01L29/78;申请日:20200323
  • 2021-09-24
    公布
    状态信息
    公布
摘要
一种半导体结构及其形成方法,提供衬底,所述衬底包括第一区、第二区和第三区,所述第二区位于所述第一区和所述第三区之间;在所述第二区的衬底内形成漂移区,所述漂移区向所述衬底的第一区与所述第三区内延伸;在第一区和第三区上形成漏掺杂层;在所述第一区的漏掺杂层上形成沟道柱;在所述沟道柱的侧壁表面形成栅极结构。在本发明的技术方案中,由于栅极结构为全包围所述沟道柱的侧壁表面,使得沟道区的面积有效增加,进而增大横向双扩散场效应管的工作电流;另外沟道柱垂直于衬底表面方向设置,占用的面积较小,能够有效的减小最终形成的半导体结构的设计尺寸,提高半导体结构中的器件密度。