首页
品牌
排行
问答
专题
特惠
资讯
展会
百科
热门行业
装修建材
家居生活
餐饮食品
母婴教育
电脑办公
服装首饰
汽车工具
家电数码
机械化工
休闲美容
热门行业
教育培训
板材
地板
涂料
家纺
集成吊顶
美缝剂
木门
硅藻泥
管材
指纹锁
橱柜
衣柜
床垫
电热水器
集成灶
暖气片
净水器
酒店
卫浴
装修建材
卫浴洁具
板材
地板
建筑陶瓷
天花板
涂料
瓷砖泥瓦
水电管材
火锅
快餐
生活用品
软装
装饰装潢
灯具
家纺
干洗服务
内衣
男装
女装
幼教
整体卫浴
地板砖
阻燃板
铝材
集成吊顶
美缝剂
硅藻泥
管材
烤鱼
汉堡
叶酸
婴儿用品
婴儿床
指纹锁
品牌首页
品牌资讯
企业信息
商标信息
专利信息
返回上一页
专利状态
半导体结构及其形成方法
有效
专利申请进度
申请
2020-03-23
申请公布
2021-09-24
授权
2023-10-20
预估到期
2040-03-23
专利基础信息
申请号
CN202010208843.6
申请日
2020-03-23
申请公布号
CN113437148A
申请公布日
2021-09-24
授权公布号
CN113437148B
授权公告日
2023-10-20
分类号
H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/10
分类
基本电气元件;
申请人名称
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址
上海市浦东新区张江路18号
专利法律状态
2023-10-20
授权
状态信息
授权
2021-10-15
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L29/78;申请日:20200323
2021-09-24
公布
状态信息
公布
摘要
一种半导体结构及其形成方法,提供衬底,所述衬底包括第一区、第二区和第三区,所述第二区位于所述第一区和所述第三区之间;在所述第二区的衬底内形成漂移区,所述漂移区向所述衬底的第一区与所述第三区内延伸;在第一区和第三区上形成漏掺杂层;在所述第一区的漏掺杂层上形成沟道柱;在所述沟道柱的侧壁表面形成栅极结构。在本发明的技术方案中,由于栅极结构为全包围所述沟道柱的侧壁表面,使得沟道区的面积有效增加,进而增大横向双扩散场效应管的工作电流;另外沟道柱垂直于衬底表面方向设置,占用的面积较小,能够有效的减小最终形成的半导体结构的设计尺寸,提高半导体结构中的器件密度。
更多专利
1
半导体结构及其形成方法
2
半导体结构的形成方法
3
半导体结构及半导体结构的形成方法
4
半导体结构及其形成方法
5
半导体结构及其形成方法
6
涂布机及涂布方法和掩膜板的形成方法
7
上电复位电路和集成电路
8
半导体结构及其形成方法
9
具有图形的光罩的制造方法
10
SRAM中工艺角分析模型的生成方法及工艺角的确定方法
11
掩膜版版图、存储单元结构和存储器
12
一种半导体器件及形成方法
13
半导体结构及其形成方法
14
半导体结构及其形成方法
15
一种延时电路
16
半导体结构及其形成方法
17
半导体结构及其形成方法
18
鳍式场效应管的制备方法、鳍式场效应管及硅衬底
19
半导体结构及其形成方法
20
半导体器件及其形成方法
全国服务热线:
在线客服
1211389656
咨询
商务合作
85926368
咨询
媒体合作
921888730
咨询
在线客服
客服微信号
品牌网官方客服微信
打开微信扫一扫
客服微信
商务合作微信
商务合作详谈
打开微信扫一扫
商务合作
回到顶部