半导体结构及其形成方法_专利查询-品牌网

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专利状态

半导体结构及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2019-05-31

申请公布

2020-12-01

授权

2023-12-12

预估到期

2039-05-31

专利基础信息

申请号	CN201910470609.8	申请日	2019-05-31
申请公布号	CN112018034A	申请公布日	2020-12-01
授权公布号	CN112018034B	授权公告日	2023-12-12
分类号	H01L21/8234;H01L27/088
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号

专利法律状态

2023-12-12

授权

状态信息

授权
2020-12-01

公布

状态信息

公布

摘要

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；形成具有掩膜开口的硬掩膜层，掩膜开口至少露出相邻两个伪栅结构所对应的栅极掩膜层顶部、以及与伪栅结构相邻层间介质层的部分顶部，掩膜开口的延伸方向垂直于伪栅结构的延伸方向；去除掩膜开口露出的栅极掩膜层；刻蚀掩膜开口露出的部分厚度层间介质层，形成凹槽，凹槽底部露出的层间介质层顶部与伪栅结构顶部齐平或者低于伪栅结构顶部；在凹槽和掩膜开口的侧壁上形成掩膜侧墙，沿垂直于伪栅结构的延伸方向，掩膜侧墙露出伪栅结构顶部，掩膜侧墙与硬掩膜层、剩余栅极掩膜层构成掩膜结构层；以掩膜结构层为掩膜去除凹槽底部露出的伪栅结构，形成沟槽。本发明有利于提升半导体结构的性能。

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