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专利状态
半导体结构及其形成方法
有效
专利申请进度
申请
2019-12-12
申请公布
2021-06-18
授权
2023-10-20
预估到期
2039-12-12
专利基础信息
申请号
CN201911274721.0
申请日
2019-12-12
申请公布号
CN112992679A
申请公布日
2021-06-18
授权公布号
CN112992679B
授权公告日
2023-10-20
分类号
H01L21/336;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78
分类
基本电气元件;
申请人名称
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址
上海市浦东新区张江路18号
专利法律状态
2023-10-20
授权
状态信息
授权
2021-07-06
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L21/336;申请日:20191212
2021-06-18
公布
状态信息
公布
摘要
一种半导体结构及其形成方法,所述形成方法包括:提供衬底,所述衬底上具有源漏掺杂层;在所述源漏掺杂层表面形成沟道柱,所述沟道柱包括第一区、第二区和第三区,所述第二区位于所述第一区上,所述第三区位于所述第二区上;在所述第二区的沟道柱的侧壁上形成环绕所述沟道柱的凹槽;在所述凹槽内形成栅结构。所述半导体结构及其形成方法提高了半导体器件的性能。
更多专利
1
鳍式场效应管的制备方法、鳍式场效应管及硅衬底
2
半导体结构及其形成方法,半导体器件及其形成方法
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半导体结构及其形成方法
4
半导体结构及其形成方法
5
工艺传感器
6
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7
半导体结构及其形成方法
8
半导体结构及其形成方法
9
半导体结构及其形成方法
10
半导体结构及半导体结构的形成方法
11
半导体结构及其形成方法
12
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13
参考电压驱动器
14
半导体结构及其形成方法
15
半导体结构及其形成方法
16
半导体结构及其形成方法
17
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18
半导体结构及其形成方法
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读出放大器
20
半导体结构及其形成方法
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