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专利状态
半导体结构及其形成方法
有效
专利申请进度
申请
2020-07-31
申请公布
2022-02-18
授权
2023-12-29
预估到期
2040-07-31
专利基础信息
申请号
CN202010762886.9
申请日
2020-07-31
申请公布号
CN114068706A
申请公布日
2022-02-18
授权公布号
CN114068706B
授权公告日
2023-12-29
分类号
H01L29/78;H01L29/423;H01L29/10;H01L21/336
分类
基本电气元件;
申请人名称
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
专利法律状态
2023-12-29
授权
状态信息
授权
2022-03-08
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L29/78;申请日:20200731
2022-02-18
公布
状态信息
公布
摘要
一种半导体结构及其形成方法,所述方法包括:提供基底,所述基底上形成有初始沟道叠层,所述初始沟道叠层的延伸方向为第一方向;形成横跨所述初始沟道叠层的伪栅结构,所述伪栅结构包括沿所述第一方向的尺寸为第一尺寸的顶部结构和沿所述第一方向的尺寸为第二尺寸的底部结构,所述第一尺寸小于所述第二尺寸,所述伪栅结构覆盖部分初始沟道叠层的侧壁和顶部;去除所述伪栅结构两侧的初始沟道叠层,形成目标沟道叠层;在所述伪栅结构两侧形成掺杂结构,所述掺杂结构与所述目标沟道叠层中的沟道层相接;在所述伪栅结构两侧形成掺杂结构之后,在所述伪栅结构和所述目标沟道叠层中的牺牲层占据的空间内形成栅极结构,提高了器件的性能。
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