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专利状态

半导体结构及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2019-10-24

申请公布

2021-04-27

授权

2024-03-22

预估到期

2039-10-24

专利基础信息

申请号	CN201911019190.0	申请日	2019-10-24
申请公布号	CN112713087A	申请公布日	2021-04-27
授权公布号	CN112713087B	授权公告日	2024-03-22
分类号	H01L21/311;H01L21/768
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号

专利法律状态

2024-03-22

授权

状态信息

授权
2021-05-14

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L21/311；申请日:20191024
2021-04-27

公布

状态信息

公布

摘要

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上形成有待刻蚀层；在待刻蚀层上形成核心层、以及位于核心层中的多个牺牲层，多个牺牲层之间间隔排布；去除相邻的牺牲层之间的部分核心层，形成贯穿核心层的第一凹槽，第一凹槽的侧壁暴露出牺牲层；对第一凹槽侧壁的核心层进行第一离子掺杂处理，适于增大第一凹槽侧壁的核心层的耐刻蚀度；在第一凹槽的侧壁形成侧墙；在进行第一离子掺杂处理和形成侧墙后，去除牺牲层，形成贯穿核心层的第二凹槽，第二凹槽和第一凹槽之间被侧墙隔离；以核心层和侧墙为掩膜，刻蚀第一凹槽和第二凹槽底部的待刻蚀层。本发明实施例有利于降低第一凹槽侧壁的核心层在去除牺牲层的步骤中被误刻蚀的概率。

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