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专利状态
半导体结构及其形成方法
有效
专利申请进度
申请
2019-06-28
申请公布
2020-12-29
授权
2023-10-20
预估到期
2039-06-28
专利基础信息
申请号
CN201910577105.6
申请日
2019-06-28
申请公布号
CN112151380A
申请公布日
2020-12-29
授权公布号
CN112151380B
授权公告日
2023-10-20
分类号
H01L21/336;H01L29/78;H01L21/768
分类
基本电气元件;
申请人名称
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
专利法律状态
2023-10-20
授权
状态信息
授权
2021-01-15
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L21/336;申请日:20190628
2020-12-29
公布
状态信息
公布
摘要
一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供基底,所述基底上形成有伪栅结构,所述伪栅结构两侧的基底内形成有源漏掺杂区,所述伪栅结构露出的基底上形成有介质层,所述介质层覆盖所述源漏掺杂区;刻蚀所述伪栅结构两侧的介质层,形成露出所述源漏掺杂区的接触孔;在所述接触孔中形成接触孔插塞,所述接触孔插塞与源漏掺杂区电连接;形成所述接触孔插塞后,去除所述伪栅结构,在所述介质层中形成栅极开口;在所述栅极开口中形成栅极结构。本发明实施例有利于简化工艺复杂度、增大工艺窗口。
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