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专利状态
半导体结构及其形成方法
有效
专利申请进度
申请
2019-08-30
申请公布
2021-03-05
授权
2024-03-01
预估到期
2039-08-30
专利基础信息
申请号
CN201910817750.0
申请日
2019-08-30
申请公布号
CN112447593A
申请公布日
2021-03-05
授权公布号
CN112447593B
授权公告日
2024-03-01
分类号
H01L21/8234;H01L27/088;H01L29/78
分类
基本电气元件;
申请人名称
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
专利法律状态
2024-03-01
授权
状态信息
授权
2021-03-23
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L21/8234;申请日:20190830
2021-03-05
公布
状态信息
公布
摘要
一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供基底,基底包括器件区,基底包括衬底和位于衬底上的鳍部;在器件区的鳍部中形成源漏掺杂层,源漏掺杂层中具有第一型离子;在源漏掺杂层的表面形成第一掺杂层,第一掺杂层中具有第一型离子。本发明实施例在鳍部上形成相间隔的源漏掺杂层,源漏掺杂层中具有第一型离子,源漏掺杂层的形成过程通常包括退火处理。本发明实施例在源漏掺杂层上形成第一掺杂层,第一掺杂层中具有第一型离子,第一掺杂层未受到退火处理的影响,具有较高的应力,能够弥补源漏掺杂层因退火处理而损失的应力,因此,源漏掺杂层和第一掺杂层共同为沟道提供应力,有利于提高沟道中载流子的迁移速率。
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