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专利状态

半导体结构及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2019-03-13

申请公布

2020-09-22

授权

2023-09-22

预估到期

2039-03-13

专利基础信息

申请号	CN201910189891.2	申请日	2019-03-13
申请公布号	CN111696866A	申请公布日	2020-09-22
授权公布号	CN111696866B	授权公告日	2023-09-22
分类号	H01L21/336;H01L29/78
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区张江路18号

专利法律状态

2023-09-22

授权

状态信息

授权
2020-10-20

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L21/336；申请日:20190313
2020-09-22

公布

状态信息

公布

摘要

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底，所述衬底上具有若干鳍部，所述鳍部间的所述衬底上具有绝缘层，且所述绝缘层顶部低于所述鳍部的顶部；在所述绝缘层上形成介质层，所述介质层覆盖所述鳍部；在所述介质层内形成开口，所述开口横跨所述鳍部，且所述开口暴露出所述绝缘层顶部、所述鳍部的顶部和侧壁表面；在暴露出的所述鳍部顶部及侧壁表面形成界面层；在所述界面层上、所述介质层上及所述绝缘层上形成非晶硅层；对所述界面层及所述非晶硅层进行退火处理；去除退火处理后的所述非晶硅层。本发明有助于将所述非晶硅层去除干净。

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