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专利状态

工艺传感器

有效

专利申请进度

申请

2019-12-27

申请公布

2021-07-16

授权

2024-03-22

预估到期

2039-12-27

专利基础信息

申请号	CN201911382899.7	申请日	2019-12-27
申请公布号	CN113125920A	申请公布日	2021-07-16
授权公布号	CN113125920B	授权公告日	2024-03-22
分类号	G01R31/26
分类	测量；测试;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号

专利法律状态

2024-03-22

授权

状态信息

授权
2021-08-03

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):G01R31/26；申请日:20191227
2021-07-16

公布

状态信息

公布

摘要

一种工艺传感器，用于检测工艺角，包括：自偏置基准电路，包括第一基准电路和第二基准电路，第一基准电路包括第一三极管和第二三极管，第一基准电路适于输出第二三极管的基极‑发射极电压作为第一参考电压；第二基准电路包括第一NMOS晶体管，第二基准电路适于输出所述第一NMOS晶体管的漏极电压作为第二参考电压；第一电压电流转换电路，适于根据第一参考电压输出与第一参考电压成正比例关系的第一电流；第二电压电流转换电路，适于根据第二参考电压输出与第二参考电压成正比例关系的第二电流；电流电压转换电路，适于获得输出电压，输出电压与第二参考电压和第一参考电压的差值相关。所述工艺传感提高对半导体加工工艺的检测精度，且降低结构复杂度。

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