首页
品牌
排行
问答
专题
特惠
资讯
展会
百科
热门行业
装修建材
家居生活
餐饮食品
母婴教育
电脑办公
服装首饰
汽车工具
家电数码
机械化工
休闲美容
热门行业
教育培训
板材
地板
涂料
家纺
集成吊顶
美缝剂
木门
硅藻泥
管材
指纹锁
橱柜
衣柜
床垫
电热水器
集成灶
暖气片
净水器
酒店
卫浴
装修建材
卫浴洁具
板材
地板
建筑陶瓷
天花板
涂料
瓷砖泥瓦
水电管材
火锅
快餐
生活用品
软装
装饰装潢
灯具
家纺
干洗服务
内衣
男装
女装
幼教
整体卫浴
地板砖
阻燃板
铝材
集成吊顶
美缝剂
硅藻泥
管材
烤鱼
汉堡
叶酸
婴儿用品
婴儿床
指纹锁
品牌首页
品牌资讯
企业信息
商标信息
专利信息
返回上一页
专利状态
半导体结构及其形成方法
有效
专利申请进度
申请
2020-06-30
申请公布
2021-12-31
授权
2024-03-01
预估到期
2040-06-30
专利基础信息
申请号
CN202010613535.1
申请日
2020-06-30
申请公布号
CN113871300A
申请公布日
2021-12-31
授权公布号
CN113871300B
授权公告日
2024-03-01
分类号
H01L21/336;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78
分类
基本电气元件;
申请人名称
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
专利法律状态
2024-03-01
授权
状态信息
授权
2022-01-21
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L21/336;申请日:20200630
2021-12-31
公布
状态信息
公布
摘要
一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供衬底;在衬底上形成第一掺杂层;在第一掺杂层上形成半导体柱;在第一掺杂层上形成第一隔离层,露出半导体柱的部分侧壁;在第一隔离层上形成第二隔离层,第二隔离层大于第一隔离层的耐刻蚀度;在第二隔离层上形成包围半导体柱部分侧壁的栅极结构,栅极结构顶面低于半导体柱顶面;在半导体柱顶部形成第二掺杂层。本发明形成耐刻蚀度更大的第二隔离层,在形成栅极结构之前的工艺过程中,第二隔离层被损耗的概率较低,且第二隔离层对第一隔离层起到保护作用,从而减小第一隔离层被损耗的概率,相应使得由第二隔离层和第一隔离层构成的叠层结构的厚度均一性和性能得到保障,进而提高半导体结构的性能。
更多专利
1
数据存储方法及电路、装置、可读存储介质
2
半导体结构及其形成方法
3
半导体结构及其形成方法
4
半导体结构的形成方法
5
半导体结构及其形成方法
6
图形生成方法及掩膜版的制备方法
7
半导体结构及其形成方法
8
鳍式场效应晶体管的形成方法
9
半导体结构及其形成方法
10
半导体结构及其形成方法
11
半导体结构的形成方法、晶体管
12
电平移位电路
13
半导体结构的形成方法、晶体管
14
半导体结构及其形成方法
15
封装结构及其形成方法
16
自对准双重图形化方法及其形成的半导体结构
17
光学邻近修正模型的校正方法
18
半导体结构及其形成方法
19
一种双模预分频器
20
半导体器件及其形成方法
全国服务热线:
在线客服
1211389656
咨询
商务合作
85926368
咨询
媒体合作
921888730
咨询
在线客服
客服微信号
品牌网官方客服微信
打开微信扫一扫
客服微信
商务合作微信
商务合作详谈
打开微信扫一扫
商务合作
回到顶部