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专利状态
半导体结构及其形成方法
有效
专利申请进度
申请
2020-06-30
申请公布
2021-12-31
授权
2024-03-01
预估到期
2040-06-30
专利基础信息
申请号 CN202010613535.1 申请日 2020-06-30
申请公布号 CN113871300A 申请公布日 2021-12-31
授权公布号 CN113871300B 授权公告日 2024-03-01
分类号 H01L21/336;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78
分类 基本电气元件;
申请人名称 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
专利法律状态
  • 2024-03-01
    授权
    状态信息
    授权
  • 2022-01-21
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):H01L21/336;申请日:20200630
  • 2021-12-31
    公布
    状态信息
    公布
摘要
一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供衬底;在衬底上形成第一掺杂层;在第一掺杂层上形成半导体柱;在第一掺杂层上形成第一隔离层,露出半导体柱的部分侧壁;在第一隔离层上形成第二隔离层,第二隔离层大于第一隔离层的耐刻蚀度;在第二隔离层上形成包围半导体柱部分侧壁的栅极结构,栅极结构顶面低于半导体柱顶面;在半导体柱顶部形成第二掺杂层。本发明形成耐刻蚀度更大的第二隔离层,在形成栅极结构之前的工艺过程中,第二隔离层被损耗的概率较低,且第二隔离层对第一隔离层起到保护作用,从而减小第一隔离层被损耗的概率,相应使得由第二隔离层和第一隔离层构成的叠层结构的厚度均一性和性能得到保障,进而提高半导体结构的性能。