半导体器件及其形成方法_专利查询-品牌网

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专利状态

半导体器件及其形成方法

有效

专利申请进度

申请

2018-08-30

申请公布

2020-03-10

授权

2023-10-20

预估到期

2038-08-30

专利基础信息

申请号	CN201811000485.9	申请日	2018-08-30
申请公布号	CN110875371A	申请公布日	2020-03-10
授权公布号	CN110875371B	授权公告日	2023-10-20
分类号	H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区张江路18号

专利法律状态

2023-10-20

授权

状态信息

授权
2020-04-03

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L29/06；申请日:20180830
2020-03-10

公布

状态信息

公布

摘要

一种半导体器件及其形成方法，其中形成方法，包括：提供基底，所述基底上具有鳍部结构，所述鳍部结构包括底部区和位于底部区上的顶部区，顶部区包括沿基底表面法线方向重叠的若干层复合鳍部层，各复合鳍部层均包括第二鳍部层以及位于第二鳍部层表面的第一鳍部层；在所述基底上形成第一隔离结构，所述第一隔离结构覆盖鳍部结构的底部区侧壁和至少部分最底层的第二鳍部侧壁；在最底层的第二鳍部层内形成阻挡掺杂区，阻挡掺杂区内掺杂有阻挡离子；在鳍部结构的底部区顶部形成阈值离子掺杂区，阈值离子掺杂区内掺杂有阈值电压调节离子。所述方法形成的半导体器件性能较好。

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