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专利状态
半导体结构及其形成方法
有效
专利申请进度
申请
2019-12-10
申请公布
2021-06-11
授权
2024-03-01
预估到期
2039-12-10
专利基础信息
申请号
CN201911259682.7
申请日
2019-12-10
申请公布号
CN112951725A
申请公布日
2021-06-11
授权公布号
CN112951725B
授权公告日
2024-03-01
分类号
H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423
分类
基本电气元件;
申请人名称
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
专利法律状态
2024-03-01
授权
状态信息
授权
2021-07-02
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L21/336;申请日:20191210
2021-06-11
公布
状态信息
公布
摘要
一种半导体结构及其形成方法,方法包括:提供基底,包括自下而上依次堆叠的底部半导体层、牺牲半导体层和顶部半导体层,基底上形成有栅极结构,栅极结构两侧基底内形成有源漏掺杂区,源漏掺杂区底部位于牺牲半导体层底部上方;刻蚀源漏掺杂区露出的基底形成沟槽,沟槽至少贯穿顶部半导体层和牺牲半导体层;对沟槽侧壁露出的牺牲半导体层进行横向刻蚀,形成由底部半导体层、牺牲半导体层和顶部半导体层围成的第一凹槽;在沟槽中形成隔离结构,且隔离结构与底部半导体层、牺牲半导体层和顶部半导体层在第一凹槽的位置处围成空气隙。通过形成空气隙,以隔离源漏掺杂区和底部半导体层,从而减小漏电流和寄生电容,进而提高半导体结构的性能。
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