鳍式场效应晶体管的形成方法

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专利状态

鳍式场效应晶体管的形成方法

有效

专利申请进度

申请

2019-01-23

申请公布

2020-07-31

授权

2023-09-22

预估到期

2039-01-23

专利基础信息

申请号	CN201910082856.0	申请日	2019-01-23
申请公布号	CN111477548A	申请公布日	2020-07-31
授权公布号	CN111477548B	授权公告日	2023-09-22
分类号	H01L21/336
分类	基本电气元件;
申请人名称	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区张江路18号

专利法律状态

2023-09-22

授权

状态信息

授权
2020-08-25

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L21/336；申请日:20190123
2020-07-31

公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开了一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底上形成有鳍部，鳍部中形成有一层或多层牺牲层，鳍部顶部形成有伪栅结构；形成覆盖鳍部侧面的第一侧墙、覆盖伪栅结构侧面的第二侧墙；刻蚀伪栅结构两侧的鳍部，以形成暴露牺牲层和第一侧墙的源/漏凹槽；刻蚀部分暴露的牺牲层，以形成内部凹槽；和在内部凹槽和所述源/漏凹槽侧壁形成隔离层，再去除形成于源/漏凹槽侧壁的隔离层，保留形成于内部凹槽中的隔离层，多次重复上述形成、再去除隔离层的步骤，直至保留在内部凹槽中所述隔离层形成内部隔离结构。多次工艺形成内部隔离结构，能够有效避免源/漏凹槽开口被封闭，容易形成源/漏，提高了晶体管的性能。

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