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专利状态
半导体结构及其形成方法
有效
专利申请进度
申请
2018-11-08
申请公布
2020-05-15
授权
2023-10-17
预估到期
2038-11-08
专利基础信息
申请号
CN201811324989.6
申请日
2018-11-08
申请公布号
CN111162124A
申请公布日
2020-05-15
授权公布号
CN111162124B
授权公告日
2023-10-17
分类号
H01L29/78;H01L23/528;H01L21/768;H01L21/336
分类
基本电气元件;
申请人名称
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
专利法律状态
2023-10-17
授权
状态信息
授权
2020-06-09
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L29/78;申请日:20181108
2020-05-15
公布
状态信息
公布
摘要
一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:基底,基底内形成有相邻的阱区和漂移区;栅极结构,位于阱区和漂移区交界处的基底上;源区,位于栅极结构一侧的阱区内;体区,位于阱区内,且体区位于源区远离栅极结构的一侧;漏区,位于栅极结构另一侧的漂移区内;第一接触孔插塞,位于基底上,且与体区、源区或者栅极结构电连接;第一金属层,位于第一接触孔插塞上且与第一接触孔插塞电连接,第一金属层向漏区方向延伸。增加了加载电位的导体面积,因此,使第一金属层与漂移区之间的电场线分布均匀,使得漂移区中的电场强度峰值数量增加,且产生电场强度峰值的位置在漂移区中分布较均匀,半导体结构不易发生击穿,提高了半导体结构的电源击穿电压。
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